पुस्तकें खोजें
पुस्तकें
डोनेशन करें
साइन इन
साइन इन
अधिक सुविधाओं तक पहुँचने के लिए
व्यक्तिगत सिफारिशें
Telegram बॉट
डाउनलोड इतिहास
ईमेल या Kindle पर भेजें
बुकलिस्ट प्रबंधित करें
पसंदीदा में सहेजें
व्यक्तिगत
पुस्तक अनुरोध
सीखना
Z-Recommend
पुस्तक सूचियाँ
सबसे लोकप्रिय
श्रेणियाँ
योगदान
डोनेशन करें
अपलोड
Litera Library
पेपर पुस्तकें दान करें
पेपर पुस्तकें जोड़ें
Search paper books
मेरा LITERA Point
कीवर्ड के लिए खोज
Main
कीवर्ड के लिए खोज
search
1
Приборно-технологическое проектирование компонентной базы микро- и наноэлектроники
Быкадырова Галина Владимировна
,
Ткачев Александр Юрьевич
,
Бормонотов Евгений Николаевич
,
Битюцкая Лариса Александровна
рис
aгентство
cервис
kнига
бибком
оао
ооо
цкб
примеси
диффузии
распределение
примесей
распределения
мкм
файла
ионов
sio2
модели
кремния
командного
окисла
моделирования
бора
концентрации
структуры
voltage
концентрация
параметров
фосфора
уравнений
poisson
ионно
имплантации
области
mdraw
умолчанию
erfc
сетки
δr
помощью
слоя
уравнения
файл
coupled
electron
refinement
grid
node
thickness
temperature
भाषा:
russian
फ़ाइल:
PDF, 2.85 MB
आपके टैग:
0
/
0
russian
2
Приборно-технологическое проектирование полевых полупроводниковых приборов
Быстрицкий Алексей Викторович
,
Быкадорова Галина Владимировна
,
Пономарев Константин Геннадьевич
,
Ткачев Александр Юрьевич
моп
uзи
рис
aгентство
cервис
kнига
бибком
оао
ооо
цкб
области
drain
напряжение
uси
структуры
вольт
напряжения
voltage
node
uпор
исток
сток
l_gate
poisson
носителей
транзистора
характеристик
стока
coupled
electron
затворе
характеристики
defcolor
gate
iси
канала
насыщения
нормально
_des
goal
initialstep
maxstep
minstep
quasistationary
sdevice
амперных
модуля
электронов
fileprefix
дырок
भाषा:
russian
फ़ाइल:
PDF, 1.16 MB
आपके टैग:
0
/
0
russian
3
Приборно-технологическое проектирование полевых полупроводниковых приборов
Быстрицкий Алексей Викторович
,
Быкадорова Галина Владимировна
,
Пономарев Константин Геннадьевич
,
Ткачев Александр Юрьевич
моп
uзи
рис
aгентство
cервис
kнига
бибком
оао
ооо
цкб
области
drain
напряжение
uси
структуры
вольт
напряжения
voltage
node
uпор
исток
сток
l_gate
poisson
носителей
транзистора
характеристик
стока
coupled
electron
затворе
характеристики
defcolor
gate
iси
канала
насыщения
нормально
_des
goal
initialstep
maxstep
minstep
quasistationary
sdevice
амперных
модуля
электронов
fileprefix
дырок
भाषा:
russian
फ़ाइल:
PDF, 1.16 MB
आपके टैग:
0
/
0
russian
4
Моделирование полевых полупроводниковых приборов в САПР ISE TCAD: Учебное пособие
ИПЦ ВГУ
Асессоров В.В.
,
Быкадорова Г.В.
,
Ткачев А.Ю.
транзистора
рис
области
моп
drain
напряжения
node
voltage
исток
напряжение
сток
характеристики
poisson
gate
l_gate
определение
coupled
electron
затворе
стока
характеристик
defcolor
передаточной
_des
goal
initialstep
maxstep
minstep
quasistationary
uси
выходных
канала
модели
насыщения
состоянии
подложки
расчет
dessis
стоке
fileprefix
задание
линейной
нормально
открытом
поликремния
порогового
рисунке
uзи
напряжении
определяется
साल:
2007
भाषा:
russian
फ़ाइल:
PDF, 647 KB
आपके टैग:
0
/
0
russian, 2007
1
इस लिंक
का पालन करें या Telegram में "@BotFather" बॉट खोजें
2
/newbot कमांड भेजें
3
अपने चैटबॉट के लिए एक नाम निर्दिष्ट करें
4
बॉट के लिए उपयोगकर्ता नाम निर्दिष्ट करें
5
BotFather से आपको जो अंतिम संदेश मिले, पूरा का पूरा यह संदेश कॉपी करें और यहाँ पेस्ट करें
×
×